目前，接触式图像传感器大致可分为两种，一种是使用易于制成大面积薄膜的光电变换材料，另一种则是将多集成电路线阵传感器排成长条状多芯片式。后者虽然性能优异。

但需要高精度的连接技术，故在提高分辨率方面，至今尚存在一些问题。就前者而言.作为薄膜光电变换材料，迄今使用了硫化锅——硒化镉(CdS—CdSe)，砷—硒一碲(As—稳定性，而且还无公害。要用这种非晶硅制作高速，高性能装置的光电变换器件时，从对光具有响应特性的角度看，可采用具有阻流电极结构的层状式器件，使用肖特基势垒二极管，金属——绝缘体——半导体(MIS)二极管，P—i—iq_二极管的图像传感器均有报道。

 

不同的器件结构具有不同的特点，如肖特基势垒二极管的结构最简单，MIs二极管可得到非常小的暗电流，P—i—iq_二极管具有良好的整流特性。日本日电公司光电子学研究所的板术干雄等研制了异质结二极管，该二极管结构较为简单，易于制作，即便是在高温时也能获得较小的暗电流，其结构是在氧化铟锡(ITO)和非晶硅之间夹人一层P型非晶SiCx，以图提高光电二极管的性能。有关非晶硅异质结二极管的制备工艺，日本日电公司光电子研究所已作了详细介绍。已研制出扫描速度为0.8，读出时问为1～1.5毫秒/线，分辨率为8位/毫米(总像素1728位)，12位/毫米(总像素2592位);16位/毫米(总像素为3456位)的无定形硅接触式图像传感器。已广泛用于传真机和扫描仪中。